Die Leistung des 4-Zoll-VB-Galliumoxid-Substrats von Fujia Gallium Industry entspricht dem internationalen Spitzenniveau

Am 20. Februar gab es Neuigkeiten von Jinshi Data. Nach Angaben des Hangzhou Institute of Optical Precision Mechanics hat das von Hangzhou Optical Machine Incubator gegründete Unternehmen Hangzhou Fujia Gallium Industry einen bedeutenden Durchbruch im Bereich des Wachstums von Galliumoxidkristallen nach der vertikalen Bridgman (VB)-Methode erzielt. Die Qualität der Einzelkristalle wurde auf internationalem Spitzenniveau getestet und nun werden Kristallwachstumsausrüstungen und Verfahrenspakete auf den Markt gebracht. Die Testergebnisse zeigen, dass in den mit Fujia Gallium Industry hergestellten 4-Zoll-VB-Kristallen keine Zwillinge vorhanden sind, die Halbwertsbreite (FWHM) der Einzelkristallsubstrate beträgt weniger als 50 Bogensekunden und die Qualität entspricht der von der Ziehverfahren hergestellten Galliumoxid-Einkristallsubstratqualität, wobei die Leistung internationalem Spitzenniveau entspricht.