💥 Gate 广场活动:#发帖赢代币CGN 💥
在 Gate 广场发布与 CGN、Launchpool 或 CandyDrop 相关的原创内容,即有机会瓜分 1,333 枚 CGN 奖励!
📅 活动时间:2025年10月24日 18:00 – 11月4日 24:00(UTC+8)
📌 相关详情:
Launchpool 👉 https://www.gate.com/zh/announcements/article/47771
CandyDrop 👉 https://www.gate.com/zh/announcements/article/47763
📌 参与方式:
1️⃣ 在 Gate 广场发布原创内容,主题需与 CGN 或相关活动(Launchpool / CandyDrop)相关;
2️⃣ 内容不少于 80 字;
3️⃣ 帖子添加话题:#发帖赢代币CGN
4️⃣ 附上任意活动参与截图
🏆 奖励设置(总奖池:1,333 CGN)
🥇 一等奖(1名):333 CGN
🥈 二等奖(2名):200 CGN / 人
🥉 三等奖(6名):100 CGN / 人
📄 注意事项:
内容必须原创,禁止抄袭;
获奖者需完成 Gate 广场身份认证;
活动最终解释权归 Gate 所有。
复旦团队研发超快闪存集成工艺:20纳秒超快编程、10年非易失
金十数据8月13日讯,复旦大学周鹏-刘春森团队前期研究表明二维半导体结构能够将其速度提升一千倍以上,实现颠覆性的纳秒级超快存储闪存技术。然而,如何实现规模集成、走向真正实际应用仍极具挑战。同时,研究团队研发了不依赖先进光刻设备的自对准工艺,结合原始创新的超快存储叠层电场设计理论,成功实现了沟道长度为8纳米的超快闪存器件,是当前国际最短沟道闪存器件,并突破了硅基闪存物理尺寸极限(约15纳米)。在原子级薄层沟道支持下,这一超小尺寸器件具备20纳秒超快编程、10年非易失、十万次循环寿命和多态存储性能。本工作将推动超快颠覆性闪存技术的产业化应用。