三星、海力士“調整戰略”：新存儲工廠生產計劃提前

面對人工智慧驅動的記憶體晶片需求激增，韓國兩大存儲巨頭三星電子與SK海力士正加速推進新建晶圓廠的投產進程，戰略重心由此前的謹慎控貨轉向積極擴產，以搶占行業“超級周期”紅利。

據韓國《朝鮮日報》報導，SK海力士計劃將其龍仁一期晶圓廠的試運行時間提前至明年2-3月，在竣工日期前著手啟動。三星電子亦將平澤P4工廠的投產時間從明年一季度提前至今年四季度，生產規劃前移約三個月。兩家公司均將在新產線重點部署高附加值產品，如高性能DRAM與HBM（高帶寬記憶體）。

**本輪提速擴產的背景，是全球AI資料中心擴張帶來的伺服器晶片需求井噴。**KB證券數據顯示，截至今年2月，主要客戶的記憶體晶片需求滿足率僅約60%，短缺程度較去年四季度進一步加劇。三星電子記憶體出貨量中已有約70%被AI資料中心企業吸收。

**市場普遍預期供應緊張態勢將持續至2027年。**花旗集團預測，今年DRAM與NAND閃存的供給增速分別為17.5%和16.5%，而需求增速則高達20.1%和21.4%。

新產線提前數月投產

SK海力士正在龍仁半導體集群建設一期晶圓廠，目標是明年5月竣工。該項目外部框架工程已完成約一半，6個潔淨室中的3個正在同步建設中。這座三層結構的工廠規模相當於其清州M15X晶圓廠的6倍。

據《朝鮮日報》援引知情人士，**SK海力士準備在預定竣工時間之前啟動試運行，最早可能在明年2-3月。**公司計劃在率先建成的潔淨室快速安裝設備，優先投產AI時代需求激增的高性能DRAM（如DDR5）和HBM產品。

三星電子正在平澤建設P4（第四工廠）晶圓廠，**原定明年一季度竣工，現計劃提前至今年四季度，生產時間表壓縮約三個月。**三星電子根據市場行情在記憶體和晶圓代工設備間靈活調配，P4預計將專注生產當前供應緊張的高性能記憶體。據悉，三星電子最近制定策略，在P4工廠新建用於HBM的10納米第六代（1c）DRAM生產線，該產線月產能預計達10萬至12萬片晶圓。

據《朝鮮日報》援引一位半導體行業人士：

“韓國國內存企業為提前生產時間正處於非常忙碌的狀態。”

產能擴張仍難追需求增速

市場研究機構Omdia數據顯示，三星電子的DRAM年產能（以晶圓計）將從2024年的747萬片增至今年的817.5萬片。SK海力士同期產能將從511.5萬片擴大至639萬片。隨著新工廠提前投產，明年產量有望進一步增長。

兩家公司加速擴產的核心驅動力是AI資料中心擴張導致的伺服器高性能DRAM需求激增。由於生產線集中生產高附加值的HBM晶片，通用DRAM的產量相對減少，加劇了供應緊張。

KB證券指出：

“截至2月，記憶體晶片供應短缺強度較去年四季度加劇，主要客戶的記憶體晶片需求滿足率僅為60%。三星電子記憶體出貨量的70%被AI資料中心企業吸收。”

花旗集團分析，今年DRAM供應增長率為17.5%，NAND閃存供應增長16.5%。相比之下，DRAM需求增長率預計達20.1%，NAND閃存需求增長率為21.4%，需求持續超過供應。

晨星和摩根大通等主要市場研究機構預測，**記憶體供應短缺將持續至2027年。**DS投資證券表示：

“如果2027年供應增長僅為1%，本輪DRAM週期將至少持續到2027年。以伺服器為中心的DRAM需求與競爭力直接相關，難以輕易削減，價格上漲預計將持續至2026年第三季度。”

企業確認大幅增加資本支出

三星電子和SK海力士在最近的業績發布會上均表示，將增加今年的資本支出以應對記憶體短缺。三星電子記憶體事業部副總裁金在俊表示：

“隨著AI相關需求預計持續，我們計劃在2026年大幅擴大設備投資規模。但今年和明年設備擴張將受到限制，供應短缺現象可能加劇。”

這一表態凸顯了半導體產能擴張的時滯特性。儘管企業加大投資並提前投產時間，但從建設到穩定量產仍需時間，短期內難以完全緩解供需失衡。

一位半導體行業人士解釋提前試運行的戰略意圖：

“這是為了快速進入試運行階段，穩定量產系統，同時向客戶發出能夠穩定供應的信號。”

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