Samsung, SK Hynix "điều chỉnh chiến lược": Kế hoạch sản xuất nhà máy lưu trữ mới được đẩy nhanh

Đối mặt với nhu cầu chip bộ nhớ do trí tuệ nhân tạo thúc đẩy tăng vọt, hai tập đoàn lưu trữ lớn của Hàn Quốc là Samsung Electronics và SK Hynix đang đẩy nhanh tiến độ xây dựng các nhà máy wafer mới, chuyển trọng tâm chiến lược từ việc kiểm soát hàng tồn kho thận trọng sang mở rộng sản xuất tích cực để tranh thủ lợi nhuận từ “chu kỳ siêu” của ngành.

Theo báo cáo của tờ Chosun Ilbo, SK Hynix dự kiến sẽ rút ngắn thời gian thử nghiệm của nhà máy wafer đầu tiên tại Yongin sang tháng 2-3 năm tới, bắt đầu hoạt động trước ngày hoàn thành. Samsung Electronics cũng sẽ đẩy nhanh thời gian vận hành nhà máy P4 tại Pyeongtaek từ quý I năm sau lên quý IV năm nay, sớm hơn khoảng ba tháng trong kế hoạch sản xuất. Cả hai công ty đều sẽ tập trung triển khai các sản phẩm có giá trị gia tăng cao trên các dây chuyền mới, như DRAM hiệu suất cao và HBM (bộ nhớ băng thông cao).

Bối cảnh thúc đẩy mở rộng sản xuất lần này là do nhu cầu chip máy chủ tăng vọt từ việc mở rộng các trung tâm dữ liệu AI toàn cầu. Dữ liệu của KB Securities cho thấy, tính đến tháng 2 năm nay, tỷ lệ đáp ứng nhu cầu chip bộ nhớ của các khách hàng chính chỉ khoảng 60%, mức thiếu hụt còn nghiêm trọng hơn so với quý IV năm ngoái. Trong lượng xuất kho bộ nhớ của Samsung Electronics, đã có khoảng 70% được các doanh nghiệp trung tâm dữ liệu AI hấp thụ.

Thị trường dự đoán tình trạng thiếu cung sẽ kéo dài đến năm 2027. Ngân hàng Citi dự báo, tốc độ tăng cung của DRAM và NAND flash lần lượt là 17,5% và 16,5% trong năm nay, trong khi nhu cầu tăng trưởng lên tới 20,1% và 21,4%.

Dây chuyền mới đi vào hoạt động sớm hơn vài tháng

SK Hynix đang xây dựng nhà máy wafer giai đoạn 1 trong cụm bán dẫn Yongin, mục tiêu hoàn thành vào tháng 5 năm tới. Khung công trình bên ngoài của dự án đã hoàn thành khoảng một nửa, trong khi 3 trong số 6 phòng sạch đang được xây dựng đồng thời. Nhà máy này có cấu trúc 3 tầng, quy mô gấp 6 lần nhà máy wafer M15X tại Cheongju của họ.

Theo báo cáo của Chosun Ilbo dẫn nguồn từ người am hiểu, SK Hynix chuẩn bị bắt đầu thử nghiệm trước thời hạn dự kiến, có thể sớm nhất là tháng 2-3 năm tới. Công ty dự định lắp đặt nhanh chóng thiết bị trong các phòng sạch đã hoàn thành, ưu tiên sản xuất các sản phẩm DRAM hiệu suất cao (như DDR5) và HBM, đáp ứng nhu cầu tăng cao trong kỷ nguyên AI.

Samsung Electronics đang xây dựng nhà máy wafer P4 tại Pyeongtaek, dự kiến hoàn thành vào quý I năm sau, nay đã dự kiến đẩy nhanh tiến độ lên quý IV năm nay, rút ngắn khoảng ba tháng trong lịch trình sản xuất. Samsung Electronics linh hoạt điều phối giữa các dây chuyền sản xuất bộ nhớ và thiết bị gia công wafer theo thị trường, dự kiến P4 sẽ tập trung sản xuất các loại bộ nhớ hiệu suất cao đang thiếu hụt. Theo thông tin mới nhất, Samsung Electronics đã lập chiến lược xây dựng dây chuyền sản xuất DRAM thế hệ thứ sáu (1c) 10 nanomet dành cho HBM tại nhà máy P4, với công suất hàng tháng dự kiến đạt 100.000 đến 120.000 wafer.

Theo một nguồn trong ngành bán dẫn trích dẫn:

“Các doanh nghiệp bộ nhớ trong nước đang rất bận rộn để đẩy nhanh thời gian sản xuất.”

Khó đáp ứng nhu cầu tăng trưởng vẫn còn

Theo dữ liệu của tổ chức nghiên cứu thị trường Omdia, công suất DRAM hàng năm của Samsung Electronics (tính theo wafer) sẽ tăng từ 7,47 triệu chiếc năm 2024 lên 8,175 triệu chiếc năm nay. Trong khi đó, SK Hynix sẽ mở rộng từ 5,115 triệu lên 6,39 triệu chiếc cùng kỳ. Với việc các nhà máy mới đi vào hoạt động sớm hơn dự kiến, sản lượng năm tới dự kiến còn tiếp tục tăng.

Hai công ty đẩy nhanh mở rộng sản xuất chủ yếu do nhu cầu DRAM hiệu suất cao từ các trung tâm dữ liệu AI tăng vọt. Do tập trung sản xuất các chip HBM có giá trị gia tăng cao, sản lượng DRAM phổ thông giảm đi, làm trầm trọng thêm tình trạng thiếu cung.

KB Securities nhận định:

“Tính đến tháng 2, mức độ thiếu hụt chip bộ nhớ đã tăng so với quý IV năm ngoái, với tỷ lệ đáp ứng nhu cầu của các khách hàng chính chỉ đạt 60%. 70% lượng xuất kho bộ nhớ của Samsung Electronics đã được các doanh nghiệp trung tâm dữ liệu AI hấp thụ.”

Phân tích của Citi cho thấy, năm nay, tốc độ tăng cung của DRAM là 17,5%, NAND flash là 16,5%. Ngược lại, nhu cầu DRAM dự kiến tăng 20,1%, NAND flash tăng 21,4%, liên tục vượt quá cung.

Các tổ chức nghiên cứu thị trường lớn như Morningstar và JPMorgan dự đoán, thiếu hụt bộ nhớ sẽ kéo dài đến năm 2027. Công ty DS Investment Securities nhận định:

“Nếu tốc độ tăng cung chỉ đạt 1% vào năm 2027, chu kỳ DRAM này sẽ kéo dài ít nhất đến năm 2027. Nhu cầu DRAM chủ yếu dựa vào máy chủ, liên quan trực tiếp đến khả năng cạnh tranh, khó có thể giảm nhẹ, giá dự kiến sẽ tiếp tục tăng đến quý III năm 2026.”

Các doanh nghiệp xác nhận sẽ tăng mạnh chi tiêu vốn

Samsung Electronics và SK Hynix đều phát biểu tại các buổi công bố kết quả gần đây rằng, sẽ tăng chi tiêu vốn trong năm nay để đối phó với tình trạng thiếu hụt bộ nhớ. Phó chủ tịch bộ phận bộ nhớ của Samsung Electronics, Kim Jae-june, cho biết:

“Với dự báo nhu cầu liên quan đến AI sẽ tiếp tục duy trì, chúng tôi dự định mở rộng quy mô đầu tư thiết bị mạnh mẽ vào năm 2026. Tuy nhiên, việc mở rộng thiết bị trong năm nay và năm tới sẽ bị hạn chế, có thể làm tình trạng thiếu cung trở nên trầm trọng hơn.”

Phát biểu này nhấn mạnh đặc tính chậm trễ trong mở rộng năng lực sản xuất bán dẫn. Mặc dù các doanh nghiệp tăng cường đầu tư và đẩy nhanh thời gian đi vào hoạt động, nhưng từ xây dựng đến ổn định sản xuất hàng loạt vẫn cần thời gian, khó có thể giải quyết hoàn toàn tình trạng cung cầu trong ngắn hạn.

Một chuyên gia trong ngành bán dẫn giải thích về chiến lược thử nghiệm sớm:

“Điều này nhằm nhanh chóng bước vào giai đoạn thử nghiệm, ổn định hệ thống sản xuất hàng loạt, đồng thời gửi tín hiệu tới khách hàng về khả năng cung cấp ổn định.”

Cảnh báo rủi ro và điều khoản miễn trừ

Thị trường có rủi ro, đầu tư cần thận trọng. Bài viết này không phải là lời khuyên đầu tư cá nhân và chưa xem xét các mục tiêu, tình hình tài chính hoặc nhu cầu đặc thù của từng người dùng. Người đọc cần cân nhắc xem các ý kiến, quan điểm hoặc kết luận trong bài có phù hợp với tình hình của mình hay không. Đầu tư theo đó, chịu trách nhiệm về quyết định của mình.