У зв’язку з різким зростанням попиту на пам’ять, викликаним штучним інтелектом, дві найбільші корейські компанії з виробництва сховищ — Samsung Electronics та SK Hynix — прискорюють процес запуску нових фабрик для виробництва чіпів. Стратегічний акцент з обережного контролю запасів раніше змінено на активне розширення виробництва з метою скористатися “суперциклом” галузі.
За даними корейської газети «Чосон Ільбо», SK Hynix планує перенести початок пробного запуску першої черги фабрики в Чхонані на лютий-березень наступного року, щоб почати до завершення будівництва. Samsung Electronics також перенесла дату запуску фабрики P4 у Пхеньчхані з першого кварталу наступного року на четвертий квартал цього року, що приблизно на три місяці раніше. Обидві компанії зосередять нові виробничі лінії на високоякісних продуктах, таких як високопродуктивна DRAM та HBM (високошвидкісна пам’ять).
Цей прискорений розширений план зумовлений бурхливим зростанням попиту на серверні чіпи через глобальне розгортання дата-центрів з штучним інтелектом. За даними KB Securities, станом на лютий цього року потреба основних клієнтів у пам’яті задовольняється лише приблизно на 60%, що свідчить про поглиблення дефіциту порівняно з четвертим кварталом минулого року. Близько 70% відвантаженої пам’яті Samsung вже використовується дата-центрами з AI.
Очікується, що напруженість у постачанні триватиме до 2027 року. За прогнозами Citigroup, у цьому році темпи зростання пропозиції DRAM та NAND-флеш-пам’яті становитимуть 17,5% і 16,5% відповідно, тоді як попит зростатиме на 20,1% і 21,4%.
Нові виробничі лінії запускаються раніше запланованого терміну
SK Hynix будує першу чергу фабрики в Чхонані у рамках створення напівпровідникового кластера, з метою завершити її до травня наступного року. Зовнішні інженерні роботи вже виконані приблизно на половині, три з шести чистих кімнат будуються одночасно. Це трьохповерхова фабрика має масштаб у шість разів більший за фабрику M15X у Чинджу.
За інформацією «Чосон Ільбо», посилаючись на джерела, SK Hynix готується запустити пробний режим ще до офіційного завершення будівництва, найраніше — у лютому-березні наступного року. Компанія планує швидко встановити обладнання у перших чистих кімнатах, щоб першочергово запустити високопродуктивну DRAM (наприклад, DDR5) та HBM, які користуються підвищеним попитом у епоху AI.
Samsung Electronics будує фабрику P4 у Пхеньчхані, спочатку заплановану на перший квартал наступного року, але тепер перенесену на четвертий квартал цього року, що скорочує графік виробництва приблизно на три місяці. Компанія гнучко розподіляє ресурси між пам’яттю та обладнанням для виробництва напівпровідників відповідно до ринкових умов. Очікується, що P4 зосередиться на виробництві високопродуктивної пам’яті, яка зараз особливо затребувана. Також повідомляється, що Samsung розробила нову лінію для виробництва DRAM 6-го покоління (1c) для HBM на 10 нм, з місячною потужністю близько 100 000–120 000 чіпів.
За словами інсайдера з напівпровідникової галузі, цитованого «Чосон Ільбо»:
“Корейські виробники пам’яті дуже зайняті через необхідність прискорити виробництво.”
Залишаються труднощі з задоволенням зростаючого попиту
За даними аналітичної компанії Omdia, річна потужність Samsung у виробництві DRAM (у кількості чипів на основі чипів) зросте з 7,47 мільйонів у 2024 році до 8,175 мільйонів у цьому році. Потужність SK Hynix у цей період збільшиться з 5,115 мільйонів до 6,39 мільйонів. Зі стартом нових фабрик раніше запланованого терміну, обсяги виробництва у наступному році ймовірно зростуть ще більше.
Головним рушієм прискореного розширення є зростання попиту на високопродуктивну DRAM для серверів у зв’язку з розгортанням дата-центрів AI. Оскільки виробничі лінії зосереджені на високоякісних HBM-чіпах, обсяг виробництва звичайної DRAM зменшується, що посилює дефіцит.
KB Securities зазначає:
“Станом на лютий, дефіцит пам’яті посилюється порівняно з четвертим кварталом минулого року, і потреба клієнтів у пам’яті задовольняється лише на 60%. 70% відвантаженої пам’яті Samsung вже використовується дата-центрами AI.”
Аналіз від Citigroup показує, що у цьому році темпи зростання пропозиції DRAM становитимуть 17,5%, а NAND-флеш — 16,5%. У той час як попит зростатиме на 20,1% і 21,4% відповідно, що означає, що потреба перевищує пропозицію.
Основні аналітичні агентства, такі як Morningstar і JPMorgan, прогнозують, що дефіцит пам’яті триватиме до 2027 року. DS Investment Securities додає:
“Якщо у 2027 році приріст пропозиції становитиме лише 1%, цей цикл DRAM триватиме щонайменше до 2027 року. Попит на DRAM, орієнтований на сервери, безпосередньо залежить від конкурентоспроможності, і його зменшити буде важко. Ціни, ймовірно, залишатимуться високими до третього кварталу 2026 року.”
Компанії підтверджують значне збільшення капітальних витрат
Обидві компанії — Samsung Electronics і SK Hynix — під час останніх фінансових звітів заявили про намір збільшити капітальні витрати цього року для подолання дефіциту пам’яті. Віце-президент відділу пам’яті Samsung Kim Jae-june зазначив:
“Оскільки очікується тривале зростання попиту, пов’язаного з AI, ми плануємо значно розширити інвестиції у обладнання до 2026 року. Однак у цьому та наступному роках темпи розширення обладнання будуть обмеженими, і дефіцит може посилитися.”
Ця заява підкреслює затримки у розширенні виробничих потужностей напівпровідників. Хоча компанії збільшують інвестиції та раніше запускають виробництво, перехід від будівництва до стабільного масового виробництва потребує часу, і у короткостроковій перспективі важко повністю вирішити дисбаланс попиту і пропозиції.
Один з інсайдерів у галузі пояснює стратегію раннього запуску пробних режимів так:
“Це зроблено для швидкого входу у фазу пробного запуску, стабілізації систем масового виробництва і для того, щоб послати клієнтам сигнал про стабільність постачання.”
Попередження про ризики та юридичні застереження
Ринок має ризики, інвестиції — під ризиком. Цей матеріал не є інвестиційною рекомендацією і не враховує індивідуальні цілі, фінансовий стан або потреби користувачів. Користувачі мають самостійно оцінити відповідність будь-яких думок, поглядів або висновків у цьому матеріалі своїй ситуації. За інвестиції відповідальність несе сам користувач.
Переглянути оригінал
Ця сторінка може містити контент третіх осіб, який надається виключно в інформаційних цілях (не в якості запевнень/гарантій) і не повинен розглядатися як схвалення його поглядів компанією Gate, а також як фінансова або професійна консультація. Див. Застереження для отримання детальної інформації.
Samsung, Hynix "коригують стратегію": графік виробництва нових фабрик з зберігання даних прискорено
У зв’язку з різким зростанням попиту на пам’ять, викликаним штучним інтелектом, дві найбільші корейські компанії з виробництва сховищ — Samsung Electronics та SK Hynix — прискорюють процес запуску нових фабрик для виробництва чіпів. Стратегічний акцент з обережного контролю запасів раніше змінено на активне розширення виробництва з метою скористатися “суперциклом” галузі.
За даними корейської газети «Чосон Ільбо», SK Hynix планує перенести початок пробного запуску першої черги фабрики в Чхонані на лютий-березень наступного року, щоб почати до завершення будівництва. Samsung Electronics також перенесла дату запуску фабрики P4 у Пхеньчхані з першого кварталу наступного року на четвертий квартал цього року, що приблизно на три місяці раніше. Обидві компанії зосередять нові виробничі лінії на високоякісних продуктах, таких як високопродуктивна DRAM та HBM (високошвидкісна пам’ять).
Цей прискорений розширений план зумовлений бурхливим зростанням попиту на серверні чіпи через глобальне розгортання дата-центрів з штучним інтелектом. За даними KB Securities, станом на лютий цього року потреба основних клієнтів у пам’яті задовольняється лише приблизно на 60%, що свідчить про поглиблення дефіциту порівняно з четвертим кварталом минулого року. Близько 70% відвантаженої пам’яті Samsung вже використовується дата-центрами з AI.
Очікується, що напруженість у постачанні триватиме до 2027 року. За прогнозами Citigroup, у цьому році темпи зростання пропозиції DRAM та NAND-флеш-пам’яті становитимуть 17,5% і 16,5% відповідно, тоді як попит зростатиме на 20,1% і 21,4%.
Нові виробничі лінії запускаються раніше запланованого терміну
SK Hynix будує першу чергу фабрики в Чхонані у рамках створення напівпровідникового кластера, з метою завершити її до травня наступного року. Зовнішні інженерні роботи вже виконані приблизно на половині, три з шести чистих кімнат будуються одночасно. Це трьохповерхова фабрика має масштаб у шість разів більший за фабрику M15X у Чинджу.
За інформацією «Чосон Ільбо», посилаючись на джерела, SK Hynix готується запустити пробний режим ще до офіційного завершення будівництва, найраніше — у лютому-березні наступного року. Компанія планує швидко встановити обладнання у перших чистих кімнатах, щоб першочергово запустити високопродуктивну DRAM (наприклад, DDR5) та HBM, які користуються підвищеним попитом у епоху AI.
Samsung Electronics будує фабрику P4 у Пхеньчхані, спочатку заплановану на перший квартал наступного року, але тепер перенесену на четвертий квартал цього року, що скорочує графік виробництва приблизно на три місяці. Компанія гнучко розподіляє ресурси між пам’яттю та обладнанням для виробництва напівпровідників відповідно до ринкових умов. Очікується, що P4 зосередиться на виробництві високопродуктивної пам’яті, яка зараз особливо затребувана. Також повідомляється, що Samsung розробила нову лінію для виробництва DRAM 6-го покоління (1c) для HBM на 10 нм, з місячною потужністю близько 100 000–120 000 чіпів.
За словами інсайдера з напівпровідникової галузі, цитованого «Чосон Ільбо»:
Залишаються труднощі з задоволенням зростаючого попиту
За даними аналітичної компанії Omdia, річна потужність Samsung у виробництві DRAM (у кількості чипів на основі чипів) зросте з 7,47 мільйонів у 2024 році до 8,175 мільйонів у цьому році. Потужність SK Hynix у цей період збільшиться з 5,115 мільйонів до 6,39 мільйонів. Зі стартом нових фабрик раніше запланованого терміну, обсяги виробництва у наступному році ймовірно зростуть ще більше.
Головним рушієм прискореного розширення є зростання попиту на високопродуктивну DRAM для серверів у зв’язку з розгортанням дата-центрів AI. Оскільки виробничі лінії зосереджені на високоякісних HBM-чіпах, обсяг виробництва звичайної DRAM зменшується, що посилює дефіцит.
KB Securities зазначає:
Аналіз від Citigroup показує, що у цьому році темпи зростання пропозиції DRAM становитимуть 17,5%, а NAND-флеш — 16,5%. У той час як попит зростатиме на 20,1% і 21,4% відповідно, що означає, що потреба перевищує пропозицію.
Основні аналітичні агентства, такі як Morningstar і JPMorgan, прогнозують, що дефіцит пам’яті триватиме до 2027 року. DS Investment Securities додає:
Компанії підтверджують значне збільшення капітальних витрат
Обидві компанії — Samsung Electronics і SK Hynix — під час останніх фінансових звітів заявили про намір збільшити капітальні витрати цього року для подолання дефіциту пам’яті. Віце-президент відділу пам’яті Samsung Kim Jae-june зазначив:
Ця заява підкреслює затримки у розширенні виробничих потужностей напівпровідників. Хоча компанії збільшують інвестиції та раніше запускають виробництво, перехід від будівництва до стабільного масового виробництва потребує часу, і у короткостроковій перспективі важко повністю вирішити дисбаланс попиту і пропозиції.
Один з інсайдерів у галузі пояснює стратегію раннього запуску пробних режимів так:
Попередження про ризики та юридичні застереження
Ринок має ризики, інвестиції — під ризиком. Цей матеріал не є інвестиційною рекомендацією і не враховує індивідуальні цілі, фінансовий стан або потреби користувачів. Користувачі мають самостійно оцінити відповідність будь-яких думок, поглядів або висновків у цьому матеріалі своїй ситуації. За інвестиції відповідальність несе сам користувач.