Samsung, SK Hynix «корректируют стратегию»: график производства новых фабрик по хранению данных ускорен

В условиях стремительного роста спроса на память, вызванного искусственным интеллектом, два крупнейших южнокорейских производителя памяти — Samsung Electronics и SK Hynix — ускоряют запуск новых фабрик по производству чипов, переключая стратегический фокус с осторожного контроля запасов на активное расширение мощностей, чтобы воспользоваться преимуществами «суперцикла» отрасли.

По данным южнокорейской газеты «Чосон Илбо», SK Hynix планирует перенести начало пробного запуска своей первой фабрики в Чхонане на февраль–март следующего года, начав работу до завершения строительства. Samsung Electronics также планирует перенести запуск фабрики P4 в Пхёнчане с первого квартала следующего года на четвертый квартал этого года, что примерно на три месяца раньше запланированного срока. Обе компании сосредоточат новые линии на производстве высоко добавленной стоимости продукции, такой как высокопроизводительные DRAM и HBM (высокоскоростная память).

Фон для ускоренного расширения мощностей — это взрывной рост спроса на серверные чипы, вызванный расширением глобальных дата-центров с искусственным интеллектом. Согласно данным KB Securities, по состоянию на февраль этого года, уровень удовлетворенности спроса на память у ключевых клиентов составлял около 60%, что свидетельствует о дальнейшем усилении дефицита по сравнению с четвертым кварталом прошлого года. Уже около 70% от объема поставок памяти Samsung Electronics было поглощено компаниями, управляющими дата-центрами с ИИ.

Общепринятое мнение на рынке — ситуация с нехваткой поставок сохранится до 2027 года. Аналитическая группа Citigroup прогнозирует, что в этом году темпы роста предложения DRAM и NAND-флеш-памяти составят 17,5% и 16,5% соответственно, тогда как спрос вырастет на 20,1% и 21,4%.

Запуск новых линий на несколько месяцев раньше запланирован

SK Hynix строит первую очередь фабрики в промышленном парке полупроводников в Чхонане, планируемое завершение — май следующего года. Внешняя каркасная часть проекта уже выполнена примерно наполовину, три из шести чистых комнат находятся в стадии строительства одновременно. Эта трёхэтажная фабрика по масштабу в шесть раз превышает фабрику M15X в Чинчхоне.

По информации, приведенной «Чосон Илбо» со ссылкой на источники, SK Hynix готовится запустить пробный запуск до официального завершения строительства, возможно уже в феврале–марте следующего года. Компания планирует быстро установить оборудование в первой завершенной чистой комнате, чтобы приоритетно начать производство высокопроизводительных DRAM (например, DDR5) и HBM, востребованных в эпоху ИИ.

Samsung Electronics строит фабрику P4 (четвертую по счету) в Пхёнчане, изначально запланированную к завершению в первом квартале следующего года, но теперь сроки сдвинуты на четвертый квартал этого года, что сокращает график производства примерно на три месяца. В соответствии с рыночной ситуацией, Samsung гибко распределяет ресурсы между памятью и оборудованием для производства чипов, а P4, по предварительным данным, сосредоточится на выпуске дефицитных высокопроизводительных модулей памяти. Недавно компания разработала стратегию по созданию на P4 новой линии для производства 10-нанометровых шестого поколения (1c) DRAM для HBM, с предполагаемой мощностью 100 000–120 000 пластин в месяц.

По словам специалиста из полупроводниковой отрасли, цитируемого «Чосон Илбо»:

«Южнокорейские производители памяти сейчас очень заняты подготовкой к раннему запуску, чтобы опередить спрос.»

Расширение мощностей всё еще не полностью соответствует росту спроса

Исследовательская компания Omdia показывает, что годовая мощность производства DRAM Samsung Electronics (по числу пластин) увеличится с 7,47 миллиона в 2024 году до 8,175 миллиона в этом году. Аналогично, SK Hynix увеличит свою мощность с 5,115 миллиона до 6,39 миллиона пластин. В связи с ранним запуском новых фабрик, ожидается дальнейший рост производства в следующем году.

Основной движущей силой ускоренного расширения обеих компаний является рост спроса на высокопроизводительную серверную DRAM, вызванный расширением дата-центров с ИИ. Поскольку новые линии сосредоточены на производстве более дорогих HBM-чипов, выпуск стандартной DRAM сокращается, что усугубляет дефицит.

KB Securities отмечает:

«К февралю уровень нехватки памяти у ключевых клиентов усилился по сравнению с четвертым кварталом прошлого года, и уровень удовлетворенности спроса составляет всего 60%. Около 70% от объема поставок памяти Samsung Electronics было поглощено дата-центрами с ИИ.»

Аналитики Citigroup прогнозируют, что в этом году рост предложения DRAM составит 17,5%, а NAND-флеш-памяти — 16,5%. В то же время спрос на память будет расти быстрее: 20,1% и 21,4% соответственно, что говорит о продолжительной нехватке.

Основные аналитические агентства, такие как Morningstar и JPMorgan, прогнозируют, что дефицит памяти сохранится до 2027 года. Инвестиционная компания DS Securities отмечает:

«Если рост предложения в 2027 году составит всего 1%, то текущий цикл DRAM продлится как минимум до 2027 года. Потребность в DRAM, ориентированная на серверы, напрямую связана с конкурентоспособностью, и ее трудно снизить. Цены, скорее всего, продолжат расти до третьего квартала 2026 года.»

Компании подтверждают значительное увеличение капитальных затрат

На недавних отчетных конференциях Samsung Electronics и SK Hynix заявили, что планируют увеличить капитальные расходы в этом году для борьбы с нехваткой памяти. Вице-президент отдела памяти Samsung Kim Jae-june отметил:

«Поскольку спрос, связанный с ИИ, ожидается, будет продолжаться, мы планируем значительно расширить инвестиции в оборудование к 2026 году. Однако в этом и следующем году расширение производства будет ограничено, и дефицит может усилиться.»

Это заявление подчеркивает задержки в расширении производственных мощностей полупроводников. Несмотря на увеличение инвестиций и ранний запуск, переход к стабильному массовому производству требует времени, и в краткосрочной перспективе полностью устранить дисбаланс между спросом и предложением сложно.

Один из экспертов в полупроводниковой отрасли объяснил стратегию раннего запуска пробных линий так:

«Это делается для быстрого выхода на этап пробного запуска, стабилизации системы массового производства и для того, чтобы дать клиентам сигнал о надежных поставках.»

Риск и оговорки

Рынок подвержен рискам, инвестиции — на ваш страх и риск. Настоящий материал не является индивидуальной инвестиционной рекомендацией и не учитывает конкретных целей, финансового положения или потребностей пользователя. Пользователи должны самостоятельно оценить, соответствуют ли приведенные мнения, взгляды или выводы их конкретной ситуации. За инвестиционные решения несете ответственность самостоятельно.