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O desempenho do substrato de óxido de gálio de 4 polegadas VB da Wealth Plus GaAs atingiu um nível internacional avançado
Os dados de Jinshi em 20 de fevereiro, o repórter soube do Instituto de Pesquisa em Máquinas Ópticas de Hangzhou que a empresa incubada de Hangzhou, a Richga, obteve um avanço significativo no campo do crescimento de cristais de óxido de gálio por método vertical de ponte (VB), e lançou sincronizadamente equipamentos de crescimento de cristais e pacotes de tecnologia para o mercado. Os resultados dos testes mostraram que os cristais VB de 4 polegadas crescidos com o equipamento da Richga não têm gêmeos internos, e a largura total à meia altura (FWHM) do substrato de cristal único XRD é superior a 50 arcsec, o que é comparável à qualidade do substrato de cristal único de óxido de gálio preparado pelo método de crescimento epitaxial, e o desempenho atingiu um nível avançado internacional.
XRD11.36%
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