新エネルギー産業のアップグレードの波の中で、IGBT（絶縁ゲート双極トランジスタ）は産業全体の性能を左右する重要な存在となっています。このパワー半導体チップは「電力電子装置のCPU」と称され、その重要性はバッテリーに次ぐものであり、電気自動車のコスト構造において第二の支出項目です。
IGBTのコア機能はエネルギー変換にあります——「非通即断」のスイッチング機構を通じて、毎秒数万回の切り替えを行い、直流電を交流電に変換します。これにより、こうしたチップを搭載した電気自動車は3秒以内に時速100キロに加速可能です。軌道交通、スマートグリッド、新エネルギー設備、コンシューマエレクトロニクスなどの分野で、IGBTは欠かせないコアコンポーネントとなっています。
世界的な視点から見ると、IGBT市場は高度に集中しています。インフィニオン（Infineon）、三菱電機（Mitsubishi）、オンセミ（Onsemi）、富士電機、ABBなどの五大巨頭が70%以上の世界市場シェアを握っており、技術的なハードルの高さから、コア技術を掌握する企業は交渉力を持っています。
しかし、新エネルギー車や光伏風力発電の需要が急増する中、これらの国際的な巨頭は先進技術の委託生産を外部に出す可能性があり、台湾のパワー半導体メーカーにとっては市場の一部を獲得するチャンスとなっています。東海証券のデータによると、2012年の32億ドルから2021年には70.9億ドルに拡大し、年平均成長率は6.6%です。2027年には93億ドルに拡大する見込みです。
モリ硅は近年、自動車用パワーコンポーネント市場を積極的に取り込んでいます。2022年の売上高は前年比10.22%増の21.51億元で、11年ぶりの最高記録を更新。決算発表の後、2023年3月中旬に株価が上昇し、一時は47.96元/株に達し、月間で約30%の上昇を見せました。しかし、その後調整局面に入り、年央には上昇分を吐き出し、38-42元のレンジで推移。年末には33元付近に下落し、年間では弱気の展開となっています。
強茂は主にパワー半導体や精密電子部品の製造・販売を行っています。上半期は消費需要の低迷と潜在的な受注削減により圧力を受けましたが、7月以降は株価が反発し、2週間で65元から81.7元の年内高値に上昇。上昇率は25%以上です。ただし、8月以降業界の冷え込みにより株価は60元を割り込み、2023年末まで反発の兆しは見られませんでした。
富鼎はコンシューマエレクトロニクス、計算機、ディスプレイなどの電子ソリューションを提供しています。2023年前半は株価が100元付近で推移し、その後7月から下落局面に入り、80元前後まで下落。4ヶ月間低迷した後、年末に反発しています。
台湾株以外にも、米国株市場には多くの関連銘柄があります。
AMDは2023年に好調で、株価は倍増し、年初の60ドル/株から年末には140ドル/株に上昇。市場は依然としてその評価が低いと見ています。
**インテル（INTC）**は長年低迷していましたが、復調の兆しを見せており、株価は年初の30ドル/株からほぼ50ドル/株に上昇。上昇率は70%以上で、年間を通じて安定した動きであり、相対的な価値の選択肢と見なされています。
**ブロードコム（AVGO）**は年初の600ドル未満から1000ドル超に上昇し、約70%の上昇を記録。年間を通じて緩やかに上昇し、波動も穏やかで、長期保有に適しています。
( 産業の成長性が顕著
電気自動車や産業用制御はIGBTの主要用途であり、需要の割合はそれぞれ28%、37%です。次いで新エネルギー発電や家庭電化のインバーター市場も重要です。世界各国が電気自動車やグリーンエネルギー政策を推進する中、これらの産業は最も成長が早く、需要も継続的に増加しています。
) 技術的壁が競争優位を形成
IGBTは高級な電子部品であり、技術的なハードルが高いため、コア技術を持つ企業は希少です。これにより、市場での地位や交渉力が強化されます。
( 政策の追い風が需要を喚起
各国の電気自動車政策の刺激により、関連用途の需要は高速で拡大し、長期的な支援となっています。
技術依存リスク：先進的なIGBTの製造技術は欧米日韓が握っており、サプライチェーンの分業や地政学的緊張が高まると、台湾企業は技術的な壁や材料不足に直面する可能性があります。
世代交代リスク：炭化ケイ素（SiC）、窒化ガリウム（GaN）などの新型半導体技術が成熟しつつあり、台湾産業がこれらをタイムリーに導入できなければ、既存のIGBT市場での地位が侵食される恐れがあります。
直接購入：台湾のIGBT概念株は台湾証券取引所に上場しており、現地口座を持っていれば取引可能です。
デリバティブ商品：CFD（差金決済取引）を利用して買い建てや売り建てを行うこともでき、レバレッジを効かせて柔軟に投資できます。
インデックスファンド：保守的な投資家は、台湾の電子や半導体指数に連動するETFなどを選択することも可能です。
現在、グローバルな新エネルギー産業の発展は衰えず、電気自動車や太陽光・風力発電のパワー半導体需要は増加の一途です。台湾のIGBT概念株は近年の上昇を経験していますが、一部銘柄は適正な評価となっており、調整局面での買い場となる可能性もあります。長期的には、産業の需要を支えるファンダメンタルズは変わらず、投資家は市場の変動を見ながら戦略的に投資を進めることができます。
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台湾IGBT概念株はどうやって新エネルギーの波を掴むか？産業チェーン投資機会の分析
IGBTは一体何の役割を果たしているのか？
新エネルギー産業のアップグレードの波の中で、IGBT（絶縁ゲート双極トランジスタ）は産業全体の性能を左右する重要な存在となっています。このパワー半導体チップは「電力電子装置のCPU」と称され、その重要性はバッテリーに次ぐものであり、電気自動車のコスト構造において第二の支出項目です。
IGBTのコア機能はエネルギー変換にあります——「非通即断」のスイッチング機構を通じて、毎秒数万回の切り替えを行い、直流電を交流電に変換します。これにより、こうしたチップを搭載した電気自動車は3秒以内に時速100キロに加速可能です。軌道交通、スマートグリッド、新エネルギー設備、コンシューマエレクトロニクスなどの分野で、IGBTは欠かせないコアコンポーネントとなっています。
グローバル産業の構図：寡占と台湾の機会
世界的な視点から見ると、IGBT市場は高度に集中しています。インフィニオン（Infineon）、三菱電機（Mitsubishi）、オンセミ（Onsemi）、富士電機、ABBなどの五大巨頭が70%以上の世界市場シェアを握っており、技術的なハードルの高さから、コア技術を掌握する企業は交渉力を持っています。
しかし、新エネルギー車や光伏風力発電の需要が急増する中、これらの国際的な巨頭は先進技術の委託生産を外部に出す可能性があり、台湾のパワー半導体メーカーにとっては市場の一部を獲得するチャンスとなっています。東海証券のデータによると、2012年の32億ドルから2021年には70.9億ドルに拡大し、年平均成長率は6.6%です。2027年には93億ドルに拡大する見込みです。
台湾のIGBT関連銘柄：三大代表企業の現況
モリ硅(2342)：自動車用チップ分野の展開者
モリ硅は近年、自動車用パワーコンポーネント市場を積極的に取り込んでいます。2022年の売上高は前年比10.22%増の21.51億元で、11年ぶりの最高記録を更新。決算発表の後、2023年3月中旬に株価が上昇し、一時は47.96元/株に達し、月間で約30%の上昇を見せました。しかし、その後調整局面に入り、年央には上昇分を吐き出し、38-42元のレンジで推移。年末には33元付近に下落し、年間では弱気の展開となっています。
強茂(2481)：変動の中の調整期
強茂は主にパワー半導体や精密電子部品の製造・販売を行っています。上半期は消費需要の低迷と潜在的な受注削減により圧力を受けましたが、7月以降は株価が反発し、2週間で65元から81.7元の年内高値に上昇。上昇率は25%以上です。ただし、8月以降業界の冷え込みにより株価は60元を割り込み、2023年末まで反発の兆しは見られませんでした。
富鼎(8261)：コンシューマエレクトロニクスから新エネルギーへ
富鼎はコンシューマエレクトロニクス、計算機、ディスプレイなどの電子ソリューションを提供しています。2023年前半は株価が100元付近で推移し、その後7月から下落局面に入り、80元前後まで下落。4ヶ月間低迷した後、年末に反発しています。
米国株のIGBT関連銘柄：世界的な半導体大手
台湾株以外にも、米国株市場には多くの関連銘柄があります。
AMDは2023年に好調で、株価は倍増し、年初の60ドル/株から年末には140ドル/株に上昇。市場は依然としてその評価が低いと見ています。
**インテル（INTC）**は長年低迷していましたが、復調の兆しを見せており、株価は年初の30ドル/株からほぼ50ドル/株に上昇。上昇率は70%以上で、年間を通じて安定した動きであり、相対的な価値の選択肢と見なされています。
**ブロードコム（AVGO）**は年初の600ドル未満から1000ドル超に上昇し、約70%の上昇を記録。年間を通じて緩やかに上昇し、波動も穏やかで、長期保有に適しています。
なぜ台湾のIGBT概念株に注目すべきか？
( 産業の成長性が顕著
電気自動車や産業用制御はIGBTの主要用途であり、需要の割合はそれぞれ28%、37%です。次いで新エネルギー発電や家庭電化のインバーター市場も重要です。世界各国が電気自動車やグリーンエネルギー政策を推進する中、これらの産業は最も成長が早く、需要も継続的に増加しています。
) 技術的壁が競争優位を形成
IGBTは高級な電子部品であり、技術的なハードルが高いため、コア技術を持つ企業は希少です。これにより、市場での地位や交渉力が強化されます。
( 政策の追い風が需要を喚起
各国の電気自動車政策の刺激により、関連用途の需要は高速で拡大し、長期的な支援となっています。
IGBT概念株投資のリスク
技術依存リスク：先進的なIGBTの製造技術は欧米日韓が握っており、サプライチェーンの分業や地政学的緊張が高まると、台湾企業は技術的な壁や材料不足に直面する可能性があります。
世代交代リスク：炭化ケイ素（SiC）、窒化ガリウム（GaN）などの新型半導体技術が成熟しつつあり、台湾産業がこれらをタイムリーに導入できなければ、既存のIGBT市場での地位が侵食される恐れがあります。
台湾のIGBT概念株への多角的投資方法
直接購入：台湾のIGBT概念株は台湾証券取引所に上場しており、現地口座を持っていれば取引可能です。
デリバティブ商品：CFD（差金決済取引）を利用して買い建てや売り建てを行うこともでき、レバレッジを効かせて柔軟に投資できます。
インデックスファンド：保守的な投資家は、台湾の電子や半導体指数に連動するETFなどを選択することも可能です。
まとめ
現在、グローバルな新エネルギー産業の発展は衰えず、電気自動車や太陽光・風力発電のパワー半導体需要は増加の一途です。台湾のIGBT概念株は近年の上昇を経験していますが、一部銘柄は適正な評価となっており、調整局面での買い場となる可能性もあります。長期的には、産業の需要を支えるファンダメンタルズは変わらず、投資家は市場の変動を見ながら戦略的に投資を進めることができます。