Samsung, SK Hynix "ajustan su estrategia": el plan de producción de la nueva fábrica de almacenamiento se adelanta

Ante el aumento de la demanda de chips de memoria impulsada por la inteligencia artificial, las dos principales empresas de almacenamiento de Corea del Sur, Samsung Electronics y SK Hynix, están acelerando la puesta en marcha de nuevas fábricas de obleas, cambiando su enfoque estratégico de una gestión cautelosa de inventarios a una expansión activa para aprovechar los beneficios del “superciclo” de la industria.

Según reportes del diario surcoreano “Chosun Ilbo”, SK Hynix planea adelantar la puesta en marcha de su primera fase de la fábrica de obleas en Yongin a febrero-marzo del próximo año, comenzando las operaciones antes de la finalización de la construcción. Samsung Electronics también adelantará la puesta en marcha de su fábrica P4 en Pyeongtaek del primer trimestre del próximo año al cuarto trimestre de este año, moviendo su planificación de producción aproximadamente tres meses hacia adelante. Ambas compañías enfocarán la producción en nuevas líneas con productos de alto valor añadido, como DRAM de alto rendimiento y HBM (memoria de alto ancho de banda).

El impulso para acelerar la expansión se debe a la explosión en la demanda de chips para servidores, impulsada por la expansión global de centros de datos de IA. Datos de KB Securities muestran que, hasta febrero de este año, la tasa de satisfacción de la demanda de chips de memoria de los principales clientes era solo del 60%, con una escasez que se agravó respecto al cuarto trimestre del año pasado. Aproximadamente el 70% de las entregas de memoria de Samsung Electronics ya han sido absorbidas por empresas de centros de datos de IA.

Se espera que la tensión en el suministro continúe hasta 2027. Citigroup predice que este año, el crecimiento en la oferta de DRAM y NAND flash será del 17.5% y 16.5%, respectivamente, mientras que la demanda crecerá un 20.1% y 21.4%.

Puesta en marcha anticipada de nuevas líneas

SK Hynix está construyendo su primera fase de la fábrica de obleas en el clúster de semiconductores de Yongin, con objetivo de finalizar en mayo del próximo año. La estructura externa del proyecto ya está aproximadamente a la mitad de su avance, y tres de los seis salas limpias están en construcción simultánea. Esta fábrica de tres pisos tiene una escala equivalente a seis veces la fábrica M15X en Cheongju.

Según “Chosun Ilbo”, citando a fuentes informadas, SK Hynix planea comenzar las pruebas de funcionamiento antes de la fecha prevista de finalización, posiblemente en febrero-marzo del próximo año. La compañía planea instalar rápidamente equipos en las salas limpias que se completen primero, priorizando la producción de DRAM de alto rendimiento (como DDR5) y productos HBM, que tienen una demanda en auge en la era de la IA.

Samsung Electronics está construyendo la fábrica P4 en Pyeongtaek, originalmente prevista para completar en el primer trimestre del próximo año, pero ahora planea adelantarla al cuarto trimestre de este año, reduciendo el cronograma de producción en aproximadamente tres meses. Samsung ajusta de manera flexible la asignación entre memoria y equipos de fundición de obleas según las condiciones del mercado. Se espera que P4 se enfoque en producir memoria de alto rendimiento actualmente en escasez. Además, Samsung ha desarrollado recientemente una estrategia para construir una línea de producción de DRAM de sexta generación (1c) de 10 nanómetros para HBM en la fábrica P4, con una capacidad mensual estimada de 100,000 a 120,000 obleas.

Según una fuente del sector de semiconductores citada por “Chosun Ilbo”:

“Las empresas de memoria en Corea están muy ocupadas adelantando sus tiempos de producción.”

La expansión de capacidad aún no puede seguir el ritmo del crecimiento de la demanda

Datos de la firma de investigación Omdia muestran que la capacidad anual de DRAM de Samsung Electronics (medida en obleas) aumentará de 7.47 millones en 2024 a 8.175 millones en 2025. La capacidad de SK Hynix en el mismo período crecerá de 5.115 millones a 6.39 millones de obleas. Con la puesta en marcha anticipada de las nuevas fábricas, se espera que la producción de 2024 aumente aún más.

La principal fuerza motriz detrás de la aceleración en la expansión de capacidad son los crecientes requerimientos de DRAM de alto rendimiento para servidores, impulsados por la expansión de centros de datos de IA. Debido a que las líneas de producción se concentran en chips HBM de alto valor, la producción de DRAM generalista se reduce, agravando la escasez.

KB Securities señala:

“Hasta febrero, la intensidad de la escasez de chips de memoria se agravó respecto al cuarto trimestre del año pasado, con una tasa de satisfacción de demanda de solo el 60%. El 70% de las entregas de memoria de Samsung Electronics ha sido absorbido por empresas de centros de datos de IA.”

Citi Group analiza que este año, la tasa de crecimiento en la oferta de DRAM será del 17.5%, y en NAND flash del 16.5%. En contraste, la demanda crecerá un 20.1% y 21.4%, respectivamente, manteniendo una brecha donde la demanda supera a la oferta.

Las principales firmas de análisis, como Morningstar y J.P. Morgan, predicen que la escasez de memoria persistirá hasta 2027. DS Investment Securities afirma:

“Si el crecimiento de la oferta en 2027 es solo del 1%, este ciclo de DRAM durará al menos hasta ese año. La demanda de DRAM centrada en servidores está directamente relacionada con la competitividad, y no será fácil reducirla, por lo que se espera que los precios sigan subiendo hasta el tercer trimestre de 2026.”

Las empresas confirman un aumento sustancial en el gasto de capital

Samsung Electronics y SK Hynix han declarado en sus recientes informes de resultados que incrementarán su gasto de capital este año para hacer frente a la escasez de memoria. Kim Jae-june, vicepresidente de la división de memoria de Samsung, afirmó:

“Con la demanda relacionada con IA que se espera continúe, planeamos ampliar significativamente la inversión en equipos en 2026. Sin embargo, la expansión de equipos este año y el próximo estará limitada, por lo que la escasez podría agravarse.”

Este comentario refleja la naturaleza de retraso en la expansión de capacidad de semiconductores. Aunque las empresas aumentan inversiones y adelantan la puesta en marcha, la construcción y estabilización de producción en masa aún requiere tiempo, dificultando aliviar rápidamente el desequilibrio entre oferta y demanda en el corto plazo.

Un experto del sector de semiconductores explica la estrategia de adelantar las pruebas de funcionamiento:

“Es para entrar rápidamente en la fase de prueba, estabilizar el sistema de producción en masa y enviar señales a los clientes de que pueden contar con un suministro estable.”

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